MOS管有三個(gè)極：柵極G、源極S、漏極D（如圖）。
MOS管的工作原理與上期講的BJT類(lèi)似，不過(guò)還是有區(qū)別的。
BJT晶體管的電流一般是從基極流向發(fā)射極，它決定了從集電極到發(fā)射極能夠流多少電流。
然而對(duì)于MOS管，有多少電流從漏極流向另一個(gè)源極，取決于電壓柵極和源極之間的電流。
打開(kāi)MOS管
當(dāng)柵極和源極之間的電壓高于晶體管的閾值電壓時(shí)，MOS管打開(kāi)，例如有一個(gè)柵源閾值電壓是2.1V。
事實(shí)上MOSFET的閾值電壓即它關(guān)閉的電壓。因此若要正確打開(kāi)MOS管，則需要稍微高一點(diǎn)的電壓。
電壓多高，取決于你想要通過(guò)多大的電流。如果只是比閾值高出幾伏，通常對(duì)低電流的東西來(lái)說(shuō)就足夠了。例如打開(kāi)一個(gè)LED。
不過(guò)，即使你使用足夠高的電壓，能夠使1A的電流通過(guò)，但這也并不意味著你能夠得到1A，只是意味著你想讓1A能夠通過(guò)，實(shí)際的電路連接特性才決定了實(shí)際的電流。
如上圖，R1的值并不重要，但大約在10kΩ就能正常工作。但是它的目的在于關(guān)閉MOS管。R2則用來(lái)設(shè)置LED亮度，對(duì)于大多數(shù)的LED，1kΩ就能很好工作。
2.關(guān)閉MOS管
當(dāng)在柵極和源極之間施加電壓時(shí)，電壓會(huì)一直保持到放電為止，它的功能有點(diǎn)類(lèi)似電容器。
當(dāng)有了電阻R1，柵極源極的電容就有了放電的閉環(huán)回路，晶體管就會(huì)再次關(guān)閉。如果沒(méi)有了R1，晶體管就不會(huì)關(guān)閉。
關(guān)于柵極電流
若你想控制MOSFET，比如用單片機(jī)，需注意一點(diǎn)：開(kāi)啟晶體管時(shí)，柵極流入的電流。
像之前說(shuō)的，MOSFET的柵源像一個(gè)電容器，充電后就不會(huì)有更多電流流過(guò)。所以，MOSFET開(kāi)啟后，柵極是沒(méi)有電流的。
但MOSFET剛開(kāi)啟時(shí)，會(huì)有一個(gè)電流，就像你給電容器充電時(shí)一樣。在非常短的時(shí)間內(nèi)，可能會(huì)有一大堆電流流動(dòng)。
在選擇MOSFET時(shí)要注意兩點(diǎn)：
這個(gè)柵-源閾值電壓。你需要更高的電壓才能打開(kāi)晶體管。
這個(gè)連續(xù)漏電流，這是流經(jīng)晶體管的最大電流。
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