可以使用數(shù)字萬用表進行判斷，通過測量MOS管漏極和源極的電阻可以簡單的判斷出內(nèi)部是否擊穿短路，下面我們來看具體的測量步驟。
MOS管有三個電極，即柵極G，漏極D和源極S，大多數(shù)情況下，帶有絲印的一面面向我們，從左至右依次為柵極，漏極，源極（有例外），所以我們只要根據(jù)以下方法進行測量就可以了，無需分辨腳位（多數(shù)情況下）。
如上圖所示為一個N溝道增強型MOS管，下面我們以此為例，說明一下測量方法，如下：
將萬用表撥至二極管檔位，紅表筆接源極極，黑表筆接漏極，應該會顯示零點幾伏的數(shù)值，這是MOS管內(nèi)部二極管的導通壓降值，反向測量則無讀數(shù)顯示，說明MOS管正常，如正反測量都有讀數(shù)則視為損壞（測量前需對三腳進行短路）。
將紅表筆接柵極，黑表筆接源極，無讀數(shù)顯示為正常，此時黑表筆不動，紅表筆接漏極，萬用表應會有一定的讀數(shù)為正常。此步驟是通過對柵源電容充電，來使漏源兩極導通。
再將MOS管三個腳短路，紅表筆接漏極，黑表筆接源極，此時沒有讀數(shù)說明正常。此步驟為對MOS管放電之后再測量漏源兩極是否導通。
只要掌握以上三步驟，即可很快檢測出MOS管是否被擊穿。
MOS管被擊穿原因
MOS管為什么會被靜電擊穿？靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎？擊穿就一定短路了嗎？JFET管靜電擊穿又是怎么回事？
MOS管靜電擊穿，關于穿通擊穿，有以下一些特征
1.穿通擊穿的擊穿點軟，擊穿過程中，電流有逐漸增大的特征，這是因為耗盡層擴展較寬，發(fā)生電流較大。另一方面，耗盡層展廣大容易發(fā)生DIBL效應，使源襯底結(jié)正偏呈現(xiàn)電流逐漸增大的特征。
2.穿通擊穿的軟擊穿點發(fā)生在源漏的耗盡層相接時，此刻源端的載流子注入到耗盡層中， 被耗盡層中的電場加快到達漏端，因此，穿通擊穿的電流也有急劇增大點，這個電流的急劇增大和雪崩擊穿時電流急劇增大不同，這時的電流相當于源襯底PN結(jié)正向?qū)〞r的電流，而雪崩擊穿時的電流主要為PN結(jié)反向擊穿時的雪崩電流，如不作限流，雪崩擊穿的電流要大。
3.穿通擊穿一般不會呈現(xiàn)破壞性擊穿。因為穿通擊穿場強沒有到達雪崩擊穿的場強，不會發(fā)生許多電子空穴對。
4.穿通擊穿一般發(fā)生在溝道體內(nèi)，溝道外表不容易發(fā)生穿通，這主要是因為溝道注入使外表濃度比濃度大構(gòu)成，所以，對NMOS管一般都有防穿通注入。
5.一般的，鳥嘴邊際的濃度比溝道中心濃度大，所以穿通擊穿一般發(fā)生在溝道中心。
6.多晶柵長度對穿通擊穿是有影響的，跟著柵長度添加，擊穿增大。而對雪崩擊穿，嚴格來說也有影響，可是沒有那么明顯。
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電（少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓（想想U=Q/C）將管子損壞），又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。
靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。
靜電放電形成的是短時大電流，放電脈沖的時間常數(shù)遠小于器件散熱的時間常數(shù)。因此，當靜電放電電流通過面積很小的pn結(jié)或肖特基結(jié)時，將產(chǎn)生很大的瞬間功率密度，形成局部過熱，有可能使局部結(jié)溫達到甚至超過材料的本征溫度(如硅的熔點1415℃)，使結(jié)區(qū)局部或多處熔化導致pn結(jié)短路，器件徹底失效。這種失效的發(fā)生與否，主要取決于器件內(nèi)部區(qū)域的功率密度，功率密度越小，說明器件越不易受到損傷。
反偏pn結(jié)比正偏pn結(jié)更容易發(fā)生熱致失效，在反偏條件下使結(jié)損壞所需要的能量只有正偏條件下的十分之一左右。這是因為反偏時，大部分功率消耗在結(jié)區(qū)中心，而正偏時，則多消耗在結(jié)區(qū)外的體電阻上。
對于雙極器件，通常發(fā)射結(jié)的面積比其它結(jié)的面積都小，而且結(jié)面也比其它結(jié)更靠近表面，所以常常觀察到的是發(fā)射結(jié)的退化。此外，擊穿電壓高于100V或漏電流小于1nA的pn結(jié)(如JFET的柵結(jié))，比類似尺寸的常規(guī)pn結(jié)對靜電放電更加敏感。
所有的東西是相對的，不是絕對的，MOS管只是相對其它的器件要敏感些，ESD有一個很大的特點就是隨機性，并不是沒有碰到MOS管都能夠把它擊穿。
另外，就算是產(chǎn)生ESD，也不一定會把管子擊穿。靜電的基本物理特征為：
（1）有吸引或排斥的力量；
（2）有電場存在，與大地有電位差；
（3）會產(chǎn)生放電電流。
這三種情形即ESD一般會對電子元件造成以下三種情形的影響：
（1）元件吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響元件的功能和壽命；
（2）因電場或電流破壞元件絕緣層和導體，使元件不能工作（完全破壞）；
（3）因瞬間的電場軟擊穿或電流產(chǎn)生過熱，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。
所以ESD對MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是第二種情況。 上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測試中被察覺而排除，影響較少。
如果元件輕微受損，在正常測試中不易被發(fā)現(xiàn)，在這種情形下，常會因經(jīng)過多次加工，甚至已在使用時，才被發(fā)現(xiàn)破壞，不但檢查不易，而且損失亦難以預測。靜電對電子元件產(chǎn)生的危害不亞于嚴重火災和爆炸事故的損失。
電子元件及產(chǎn)品在什么情況下會遭受靜電破壞？可以這么說：電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過程都遭受靜電破壞的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機裝聯(lián)、包裝運輸直至產(chǎn)品應用，都在靜電的威脅之下。
在整個電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程中，每一個階段中的每一個小步驟，靜電敏感元件都可能遭受靜電的影響或受到破壞，而實際上最主要而又容易疏忽的一點卻是在元件的傳送與運輸?shù)倪^程。
在這個過程中，運輸因移動容易暴露在外界電場（如經(jīng)過高壓設備附近、工人移動頻繁、車輛迅速移動等）產(chǎn)生靜電而受到破壞，所以傳送與運輸過程需要特別注意，以減少損失，避免無所謂的糾紛。防護的話加齊納穩(wěn)壓管保護。
現(xiàn)在的mos管沒有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大，感應不出高壓。與干燥的北方不同，南方潮濕不易產(chǎn)生靜電。還有就是現(xiàn)在大多數(shù)CMOS器件內(nèi)部已經(jīng)增加了IO口保護。但用手直接接觸CMOS器件管腳不是好習慣。至少使管腳可焊性變差。
MOS管被擊穿的解決方案
第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。
雖然MOS輸入端有抗靜電的保護措施，但仍需小心對待，在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。
組裝、調(diào)試時，工具、儀表、工作臺等均應良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時，使用的設備必須良好接地。
第二、MOS電路輸入端的保護二極管，其導通時電流容限一般為1mA，在可能出現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流（超過10mA）時，應串接輸入保護電阻。因此應用時可選擇一個內(nèi)部有保護電阻的MOS管應。
還有由于保護電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護電路失去作用。所以焊接時電烙鐵必須可靠接地，以防漏電擊穿器件輸入端，一般使用時，可斷電后利用電烙鐵的余熱進行焊接，并先焊其接地管腳。
MOS是電壓驅(qū)動元件，對電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導通，外部干擾信號對G-S結(jié)電容充電，這個微小的電荷可以儲存很長時間。
在試驗中G懸空很危險，很多就因為這樣爆管，G接個下拉電阻對地，旁路干擾信號就不會直通了，一般可以10~20K。這個電阻稱為柵極電阻，作用1：為場效應管提供偏置電壓；作用2：起到瀉放電阻的作用（保護柵極G~源極S）。
第一個作用好理解，這里解釋一下第二個作用的原理：保護柵極G~源極S：場效應管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場效應管產(chǎn)生誤動作，甚至有可能擊穿其G-S極；這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護場效應管的作用。
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