場效應(yīng)管導(dǎo)通要點
場效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的 在使用場效應(yīng)管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮場效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。
這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的。此文談?wù)剬鲂?yīng)管導(dǎo)通電阻的認識，包括導(dǎo)通條件等知識，希望對大家的電路設(shè)計有所幫助。場效應(yīng)管的導(dǎo)通特性 導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當于開關(guān)閉合。
場效應(yīng)管作為開關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于場效應(yīng)管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓UGS決定其工作狀態(tài)。N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的特性：Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。
P溝道結(jié)型場效應(yīng)管的特性：Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。但是，雖然P溝道結(jié)型場效應(yīng)管可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用N溝道結(jié)型場效應(yīng)管。
下面是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的導(dǎo)通條件：UGS(off)
何為場效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，場效應(yīng)管的性能大幅度提高，其中最重要的是導(dǎo)通電阻達到毫歐數(shù)量級。場效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻是指在G、S極間加上一個偏壓（N溝道為G＋、S-、P溝道為G-、S＋），場效應(yīng)管導(dǎo)通時，D、S極間的電阻值。
導(dǎo)通電阻這個參數(shù)在低壓大電流場合尤其重要，甚至比耐壓和電流指標還重要，所以尼克森公司的貼片低壓場效應(yīng)管就直接用導(dǎo)通電阻的數(shù)值來作產(chǎn)品型號，如“P2804”就是指該型場效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻為28mΩ，耐壓為40V。同理，“P4404”就是指導(dǎo)通電阻為44mΩ，耐壓為40V。
不同結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)管導(dǎo)通電阻差別很大，在通常情況下，耐壓越高，導(dǎo)通電阻就越大，如液晶電視背光板常用的N溝道＋P溝道組合管P2504，耐壓40V，電流18A，導(dǎo)通電阻25mΩ；用于CRT彩電電源管2SK2645，耐壓600V，電流9A，功率50W，導(dǎo)通電阻1.2Ω;2SK2647，耐壓800V，4從40W，導(dǎo)通電阻4Ω。
P溝道管比同規(guī)格N溝道管的導(dǎo)通電阻要大1倍左右，電流也小一些，所以開關(guān)電源都用N溝道管，但直流低電壓控制管大多用P溝道管，因為P溝道管的S極接電源輸入端，只要電源電壓在5V左右，G極就可以直接由CPU控制，CPU輸出低電平就可以使P溝道管導(dǎo)通，而N溝道管G極電壓要高于輸出電壓5V～10V才能導(dǎo)通，那么CPU輸出要經(jīng)過電平轉(zhuǎn)換才能控制N溝道管，電路較復(fù)雜。
場效應(yīng)管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型場效應(yīng)管來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就可以了。
但是，場效應(yīng)管分為增強型（常開型）和耗盡型（常閉型），增強型的管子是需要加電壓才能導(dǎo)通的，而耗盡型管子本來就處于導(dǎo)通狀態(tài)，加柵源電壓是為了使其截止。
開關(guān)只有兩種狀態(tài)通和斷，三極管和場效應(yīng)管工作有三種狀態(tài)，1、截止，2、線性放大，3、飽和（基極電流繼續(xù)增加而集電極電流不再增加）。使晶體管只工作在1和3狀態(tài)的電路稱之為開關(guān)電路，一般以晶體管截止，集電極不吸收電流表示關(guān)；以晶體管飽和，發(fā)射極和集電極之間的電壓差接近于0V時表示開。
開關(guān)電路用于數(shù)字電路時，輸出電位接近0V時表示0，輸出電位接近電源電壓時表示1。所以數(shù)字集成電路內(nèi)部的晶體管都工作在開關(guān)狀態(tài)。
場效應(yīng)管按溝道分可分為Ｎ溝道和Ｐ溝道管（在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）。
按材料分可分為結(jié)型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱MOS管，并且大多采用增強型的Ｎ溝道，其次是增強型的Ｐ溝道，結(jié)型管和耗盡型管幾乎不用。
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。
場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件。
有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。
什么叫場效應(yīng)管？
FET是Field-Effect-Transistor的縮寫,即為場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。FET應(yīng)用范圍很廣,但不能說現(xiàn)在普及的雙極型晶體管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性與雙極型晶體管的特性完全不同，能構(gòu)成技術(shù)性能非常好的電路。
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