CMOS電路中的阱
在CMOS電路的工藝結(jié)構(gòu)中,應(yīng)用在襯底上形成反型的阱是一大特點(diǎn)。已有的多種CMOS電路阱的類(lèi)別,有p阱、n阱、雙阱及倒轉(zhuǎn)阱等(圖4-3-3)。
CMOS電路中的阱-p阱
在a型襯底上,以離子注入摻雜使阱區(qū)域有足夠的濃度,以補(bǔ)償襯底上的n型摻雜并形成一個(gè)p阱區(qū)。n型起始材料的摻雜濃度也必須保證能使在其上制備的p溝器件特性符合要求(一般而言,其濃度約3X1014~1X1015 /cm3)。p阱的摻雜濃度也必須高于n型襯底濃度5~10倍。摻雜過(guò)濃也將損害n溝器件的性能,例如使遷移率降低，漏源區(qū)結(jié)電容增加，使體效應(yīng)的敏感度增加。
因?yàn)閜阱CMOS是最早實(shí)際制造的CMOS電路所采用的技術(shù),已被工業(yè)界廣泛采用了許多年，因而積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),是非常成熟的。
采用p阱比n阱有如下幾項(xiàng)優(yōu)點(diǎn):
(1)在純靜態(tài)邏輯電路中,p阱是一種較好的選擇。在這類(lèi)電路中兩種型號(hào)的MOS器件間的良好平衡是十分有益的。
(2)在某些需要p型隔離區(qū)的場(chǎng)合甚為有利(如需制作npn晶體管等場(chǎng)合)。
(3)由于p阱比n阱具有更少的場(chǎng)反型問(wèn)題的影響，故更易于制造。
(4)p阱CMOS在SRAM制造中更好,因?yàn)橛肗MOS器件作為貯存單元的增益較高,對(duì)于單元信息的讀出和檢測(cè)更為有利。
(5)在倒轉(zhuǎn)阱的結(jié)構(gòu)中，摻硼的p阱比摻磷、砷的n阱更為深入襯底,較易形成摻雜離子的倒轉(zhuǎn)分布。
CMOS電路中的阱-n阱
在p型襯底上重?fù)诫s以形成n阱。具有制備p型襯底上NMOS經(jīng)驗(yàn)的公司,才會(huì)將n阱作為CMOS工藝的另一種選擇。本技術(shù)有若干缺點(diǎn):
(1)比p阱CMOS具有更大的場(chǎng)反型問(wèn)題,(2)應(yīng)用n阱較難制備純靜態(tài)、高性能的邏輯電路。
CMOS電路中的阱-雙阱
在輕摻雜襯底上,形成兩個(gè)隔開(kāi)的n阱和p阱。襯底可以是輕摻雜的n型或p型材料，或者在一重?fù)诫s襯底上生長(zhǎng)輕摻雜外延材料。不論何種襯底材料,其表面的摻雜濃度都大大低于以后將形成的p溝或n溝器件摻雜濃度。
雙阱工藝對(duì)亞微米器件具有明顯的優(yōu)點(diǎn)。最重要之點(diǎn)是它有利于制作亞微米溝道,制作對(duì)稱(chēng)的n溝和p溝器件對(duì)0.5μm溝道長(zhǎng)度以下的器件是有益的。此外,在亞微米尺寸，襯底體摻雜應(yīng)大大提高以克服穿通并維持足夠的閾值電壓。
這樣原來(lái)單阱時(shí)所帶來(lái)的輕摻雜襯底的好處不復(fù)存在。雙阱工藝卻可以提供兩種最佳的摻雜分布。另一個(gè)好處是:雙阱工藝與外延襯底相結(jié)合,可以靈活地應(yīng)用n+或p+型襯底而不致影響晶體管和電路的性能，也不致改變基本的工藝步驟。
在不同的應(yīng)用場(chǎng)合,需要采用不同型號(hào)的襯底和外延層,雙阱工藝顯然是很方便的。最后應(yīng)指出,雙阱工藝較易實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)溝道阻止注入,使n溝、p溝管的間距減小。詳細(xì)的雙阱剖面圖如圖4-3-4所示。
CMOS電路中的阱-倒轉(zhuǎn)分布阱
普通的單阱或雙阱,均先有離子注入硅片表面,然后在高溫下向體內(nèi)擴(kuò)散形成。擴(kuò)散過(guò)程既向縱向方向也向橫向方向進(jìn)行。這當(dāng)然會(huì)影響器件的集成度。
如果將高能離子直接垂直地向si片體內(nèi)注入到一定深度，則無(wú)需再進(jìn)行擴(kuò)散,必使橫向擴(kuò)散將大大減少。這樣的離子注入,其摻雜的峰值在硅片內(nèi)一定深度,隨著向表面靠近而衰減,圖4-3-5示出了普通的P阱與倒轉(zhuǎn)阱的B+離子濃度分布圖。用這種方法形成的阱,稱(chēng)之為倒轉(zhuǎn)分布阱(Retro-grade Well)。
除了能增加集成密度之外,它還具有下列優(yōu)點(diǎn):
1.對(duì)寄生的垂直雙極型晶體管而言,倒轉(zhuǎn)分布阱提供了一種減速場(chǎng),對(duì)于消除CMOS電路中的閂鎖效應(yīng)(Latchup)是有益的。
2.減少垂直的穿通。
3.阱的底部電導(dǎo)率的增加也對(duì)保護(hù)電路防止閘流效應(yīng)有益。
4.應(yīng)用高能B+離子注入，能夠獲得p阱的高周值電壓的場(chǎng)區(qū)。因?yàn)閳?chǎng)氧化后,可直接注入B+離子,而先注入B+離子再生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層,使B+離子分凝到氧化物中去。
倒轉(zhuǎn)分布阱的缺點(diǎn)是結(jié)電容和體效應(yīng)大大增加。當(dāng)應(yīng)用非常高能量的離子注入形成倒轉(zhuǎn)分布阱時(shí),在漏源區(qū)的底部的摻雜濃度減少,從而減少了漏源區(qū)的結(jié)電容。
在倒轉(zhuǎn)阱中,既有p型的也有n型的。但更廣泛應(yīng)用的是p型倒轉(zhuǎn)阱。因?yàn)榕痣x子的射程較砷、磷離子要大得多,形成n型阱需要用700keV的砷,磷離子注入器，而硼離子注入器只需200~400keV。
在亞微米領(lǐng)域,雙阱和倒轉(zhuǎn)阱應(yīng)用得更為廣泛，當(dāng)然在工藝過(guò)程方面更為復(fù)雜，同時(shí)增加了成本。
在工藝設(shè)計(jì)方面,首先要決定選擇何種阱工藝。隨后,決定隔離的方法,阱的深度,摻雜的分布。阱深將影響到阱之間的距離以及垂直的穿通電壓。摻雜的分布情況將會(huì)影響到器件的互導(dǎo)、閾值電壓、漏源間穿通電壓、結(jié)電容、載流子遷移率、漏/源到襯底間的擊穿電壓、體效應(yīng)的靈敏度以及熱載流子效應(yīng)等。
CMOS簡(jiǎn)介
CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）的縮寫(xiě)。它是指制造大規(guī)模集成電路芯片用的一種技術(shù)或用這種技術(shù)制造出來(lái)的芯片，是電腦主板上的一塊可讀寫(xiě)的RAM芯片。因?yàn)榭勺x寫(xiě)的特性，所以在電腦主板上用來(lái)保存BIOS設(shè)置完電腦硬件參數(shù)后的數(shù)據(jù)，這個(gè)芯片僅僅是用來(lái)存放數(shù)據(jù)的。
電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
而對(duì)BIOS中各項(xiàng)參數(shù)的設(shè)定要通過(guò)專(zhuān)門(mén)的程序。BIOS設(shè)置程序一般都被廠(chǎng)商整合在芯片中，在開(kāi)機(jī)時(shí)通過(guò)特定的按鍵就可進(jìn)入BIOS設(shè)置程序，方便地對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行設(shè)置。因此BIOS設(shè)置有時(shí)也被叫做CMOS設(shè)置。
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