MOSFET概述
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。
MOSFET應(yīng)用參數(shù)理論分析
MOSFET應(yīng)用參數(shù)理論著重分析，下文會從各個方面來解析MOSFET的應(yīng)用參數(shù)。MOSFET是開關(guān)電源中的重要元器件，也是比較難掌握的元器件之一，尤其在LLC，LCC軟開關(guān)的設(shè)計中，對于MOSFET元器件本身的理解尤其重要，理解透徹了，也就應(yīng)用自如了。
（一）功率損耗
MOSFET的功率損耗主要受限于MOSFET的結(jié)溫，基本原則就是任何情況下，結(jié)溫不能超過規(guī)格書里定義的最高溫度。而結(jié)溫是由環(huán)境溫度和MOSFET自身的功耗決定的。下圖是典型的功率損耗與MOSFET表面結(jié)溫（Case temp.）的曲線圖。
一般MOSFET的規(guī)格書里面會定義兩個功率損耗參數(shù)，一個是歸算到芯片表面的功率損耗，另一個是歸算到環(huán)境溫度的功率損耗。這兩個參數(shù)可以通過如下兩個公式獲得，重點強調(diào)一點，與功耗溫度曲線密切相關(guān)的重要參數(shù)熱阻，是材料和尺寸或者表面積的函數(shù)。隨著結(jié)溫的升高，允許的功耗會隨之降低。
根據(jù)最大結(jié)溫和熱阻，可以推算出MOSFET可以允許的最大功耗。
歸算到環(huán)境溫度的熱阻是布板，散熱片和散熱面積的函數(shù)，如果散熱條件良好，可以極大提升MOSFET的功耗水平。
（二）漏極（溝道）電流
規(guī)格書中會定義最大持續(xù)漏極電流和最大脈沖電流，如下圖。一般規(guī)格書中最大脈沖電流會定義在最大持續(xù)電流的4倍，并且隨著脈沖寬度的增加，最大脈沖電流會隨之減少，主要原因就是MOSFET的溫度特性。
理想情況下，理論上最大持續(xù)電流只依賴于最大功耗，此時最大持續(xù)電流可以通過功率公式（P=I^2 R）推算出。如下式：
然而實際中，其他條件會限制理論上計算出來的最大持續(xù)電流，比如銅線直徑，芯片工藝與組裝水平等。比如上式中計算的最大持續(xù)電流為169A，但是考慮到其他約束條件，實際只能達到100A。所以制造商的工藝水平某種程度上決定了設(shè)計余量，知名廠商往往強項就在于此。下圖就是實際的持續(xù)電流與結(jié)溫的關(guān)系曲線圖，脈沖電流是由安全工作區(qū)決定的。
（三）安全工作區(qū)
安全工作區(qū)可以說是MOSFET最重要的數(shù)據(jù)，也是設(shè)計者最重要的設(shè)計參考。下圖是典型的安全工作區(qū)圖形。
由上圖可知，MOSFET的SOA實際上有5條限制線，這5條限制線決定了SOA的區(qū)域。細節(jié)如下圖：
（1）Rdson限制線
Rdson限制線是Vds和Ids的函數(shù)，這天直線的斜率就是MOSFET的最大Rdson（Vgs=10V, Tj=150℃），因此Rdson限制線可以由下式給出：
由上式可知：
因為隨著 Vgs降低Rdson會增加，因此對于較低的Vgs,Rdson限制線會向下移動。
因為Rdson會隨著Tj的降低而增大，因此對于Tj小于150C的情況，Rdson會向上移動。
（2）封裝限制線
當(dāng)順著Rdson向著更大電壓和電流的方向移動就會到達封裝限制線。不同封裝的MOSFET和工藝水平?jīng)Q定了這條線的水平。封裝限制線并不隨著溫度變化而變化。
（3）最大功率限制線
封裝限制線之后就是最大功率限制線，這條線的規(guī)則就是MOSFET功耗產(chǎn)生的溫升加上25C不能超過MOSFET的最大結(jié)溫，比如150C。MOSFET的散熱條件對這條限制線影響很大，因此與溫度相關(guān)的變量，比如熱阻，Tc和功耗也就限制了應(yīng)用。
可以得出：
Ids受限于最大結(jié)溫Tj，最大允許溫升是由Tj和Tc之差決定的。
Ids受限于熱阻ZthJC的影響，脈沖情況下的ZthJC是由脈沖長度與占空比決定的。
（4）溫度穩(wěn)定（不穩(wěn)定）限制線
跟隨者最大功率限制線就是溫度不穩(wěn)定限制線，這條限制線是設(shè)計者比較容易忽視的限制線。要深入理解此條限制線，需要理解MOSFET溫度不穩(wěn)定的條件是什么。MOSFET溫度達不到穩(wěn)定狀態(tài)，意味著隨著溫度的變化，MOSFET產(chǎn)生的功耗快于MOSFET耗散的功耗。也就是如下公式：
在這樣的條件下，MOSFET的溫度達不到穩(wěn)定狀態(tài)，進一步分析公式：
通常情況下，Vds可以認為隨著溫度變化基本不變，Ids/T稱為溫度系數(shù)。由于Vds>0, 1/ZthJC(tpulse)>0, 因此如果發(fā)生不穩(wěn)定，也就是上式要成立，有且只有溫度系數(shù)?Ids/?T>0才有可能發(fā)生。但是怎么從MOSFET的規(guī)格書中得到這一信息那？大多數(shù)規(guī)格書中并不會直接給出這個溫度系數(shù)的。但是可以從其他曲線中推導(dǎo)出來。比如規(guī)格書中Ids over Vgs的曲線（不同溫度下）。
舉例說明，如下圖所示，分別畫出了在25C Tj和150C Tj情況下的曲線。由圖中可以看出，Vgs=2.5V下，Ids隨著溫度的增加而增加，也就意味著Vgs=2.5V下，溫度系數(shù)為正。在Vgs=3.5V下，Ids隨著溫度的增加而減小，也就意味著Vgs=3.5V下，溫度系數(shù)為負。25C曲線和150C曲線的交叉點被稱為零溫度系數(shù)點（ZTC），很顯然，只要Vgs小于ZTC交叉點，就會發(fā)生溫度的不穩(wěn)定。
溫度系數(shù)由正溫度系數(shù)變?yōu)樨摐囟认禂?shù)理論上是兩個參數(shù)互相競爭的結(jié)果。一方面Rdson隨著溫度的升高而變大，另一方面Vth隨著溫度的升高而減小，在溫度較高的時候，Rdson起主導(dǎo)，因此溫度升高，電流減小。溫度較低的時候，Vth起主導(dǎo)。溫度升高，電流升高。
溫度的不穩(wěn)定區(qū)域發(fā)生在Vgs小于ZTC對應(yīng)的臨界點，ZTC是MOSFET跨導(dǎo)的函數(shù)，MOSFET的跨導(dǎo)越大，ZTC對應(yīng)的Vgs也越高。而現(xiàn)在的MOSFET的工藝，尤其是CoolMos或者DTMOS，跨導(dǎo)會越來越大，因此對于Vgs的設(shè)計也至關(guān)重要。
（5）擊穿電壓限制線
SOA的右半面就是擊穿電壓限制線，也就是BVDSS。BVDSS是Tj的函數(shù)，這一點要格外注意，尤其在低溫應(yīng)用的時候，BVDSS會衰減，確保低溫下，電壓應(yīng)力滿足要求。
（四）最大瞬態(tài)熱阻抗-ZthJC
熱阻抗由兩部分構(gòu)成，一部分是熱態(tài)電阻Rth，另一部分是熱態(tài)電容Cth。
RthJC是從芯片的結(jié)到達表面的熱阻，這個路徑?jīng)Q定了芯片本身的溫度（功耗、熱阻、Tc）。
ZthJC同時也考慮了Cth無功功率帶來的溫度影響。這個參數(shù)通常用來計算由瞬態(tài)功耗帶來的溫度累加。
（五）典型輸出特性
MOSFET的典型輸出特性描繪了漏極電流Id在常溫下與Vds和Vgs的關(guān)系。
對于MOSFET工作于開關(guān)的應(yīng)用，應(yīng)該使得MOSFET工作在“ohmic”區(qū)域，劃分ohmic區(qū)域與飽和區(qū)域的臨界線是由Vds=Vgs-Vgs(th)決定的。
（六）Rds(on)
Rds(on)是漏極電流Id的函數(shù)，由MOSFET的典型應(yīng)用曲線以及歐姆定律可以得到：
從曲線可以看出，Vgs對于Rds(on)起著至關(guān)重要的作用，對于MOSFET，一定要使得MOSFET徹底開通，不能設(shè)計在欠驅(qū)動狀態(tài)。一般而言，對于功率型MOSFET，10V的驅(qū)動電壓是比較推薦的。
另外Rds(on)也是Tj的函數(shù)，一般可用如下公式進行計算：
a是依賴于溝道技術(shù)參數(shù)，工藝和使用技術(shù)定下來，a是常量。比如英飛凌的OptiMOS功率MOSFET, a可以取值0.4。
（七）跨導(dǎo)
跨導(dǎo)反映了漏極電流Id對于Vgs變異的敏感程度。
對于應(yīng)用MOSFET做自激諧振的線路里面，跨導(dǎo)參數(shù)的大小起著重要的作用。
（八）門極門檻電壓Vth
門檻電壓Vth定義在出現(xiàn)指定的漏極電流下的驅(qū)動電壓。MOSFET的量產(chǎn)線上，Vth是在25C溫度下，Vds=Vgs，漏極電流是uA級別下測量的。
門檻電壓會隨著溫度的升高而減小，如下圖所示：
（九）寄生電容
MOSFET的寄生電容由三類，它們分別是門極源極電容，門極漏極電容以及漏極源極電容。這些電容不能直接測量到，它們是通過測量輸入、輸出和反向傳輸電容等參數(shù)然后計算得到。這三類寄生電容之間的關(guān)系如下：
這三類電容是漏源電壓（Vds）的函數(shù)，它們會隨著Vds的變化而變化，主要原因在于當(dāng)Vds變化時，溝道的空間大小會隨著改變，因此寄生電容也就隨之改變。
（十）反向二極管特性
MOSFET都有一個寄生的反向二極管，這個二極管的相關(guān)參數(shù)會有MOSFET的規(guī)格書給出，如下：
1、二極管正向持續(xù)電流：最大允許的正向持續(xù)電流，定義在25C，通常這個電流等于MOSFET的最大持續(xù)電流。
2、二極管脈沖電流：最大允許的最大脈沖電流，通常這個電流等于MOSFET的最大脈沖電流。
3、二極管正向壓降：二極管導(dǎo)通時，在規(guī)定的IF下測到的MOSFET源漏極間壓降。
4、反向恢復(fù)時間：反向恢復(fù)電荷完全移除所需要的時間。
5、反向恢復(fù)電荷：二極管導(dǎo)通期間存儲在二極管中的電荷。二極管完全恢復(fù)到阻斷狀態(tài)之前需要移除這些存儲的電荷。開關(guān)是電流變化的速率越大（di/dt），存儲的反向恢復(fù)電荷就越多。
其中反向恢復(fù)時間trr是設(shè)計LCC，LLC諧振線路拓撲中需要重點看的參數(shù)之一，原因在于基本所有的LCC和LLC諧振線路，在啟動過程中，前幾個周期都會存在二極管反向恢復(fù)過程中另一個MOSFET已經(jīng)開通，這個時候就會通過很大的di/dt，如果寄生的反向二極管能力不夠，MOSFET就會擊穿而失效。
另外寄生二極管的正向電流If是源漏電壓Vsd的函數(shù)，如下：
（十一）Avalanche特性
脈沖avalanche電流大小Iav與脈沖avalanche時間tav的關(guān)系如下圖：
Avalanche 電流于avalache 時間是由MOSFET的最大結(jié)溫以及avalanche能量限定的。Avalanche 的脈沖寬度長，允許的avalanche 的電流就越小。
（十二）源漏擊穿電壓
源漏擊穿電壓是Tj的函數(shù)，這個特性往往被設(shè)計者忽略，尤其產(chǎn)品設(shè)計是寬溫的應(yīng)用情況，需要考慮MOSFET低溫下?lián)舸╇妷旱膁erating。
（十三）典型的門極驅(qū)動
以下是典型的門極驅(qū)動波形：
（十四）開關(guān)特性
下表列示了典型的MOSFET規(guī)格書中定義的開關(guān)時間：
具體開關(guān)時間的定義如下圖：
MOSFET的應(yīng)用優(yōu)勢
1、場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，而雙極結(jié)型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用雙極晶體管。
2、有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比雙極晶體管好。
3、場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而雙極結(jié)型晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。因此被稱之為雙極型器件。
4、場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
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