IGBT概述
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
IGBT驅(qū)動電路詳解
IGBT驅(qū)動電路的作用是將單片機輸出的脈沖進行功率放大，以驅(qū)動IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用，對IGBT驅(qū)動電路的基本要求如下：
（1） 提供適當?shù)恼蚝头聪蜉敵鲭妷?，使IGBT可靠的開通和關(guān)斷。
（2） 提供足夠大的瞬態(tài)功率或瞬時電流，使IGBT能迅速建立柵控電場而導通。
（3） 盡可能小的輸入輸出延遲時間，以提高工作效率。
（4） 足夠高的輸入輸出電氣隔離性能，使信號電路與柵極驅(qū)動電路絕緣。
（5） 具有靈敏的過流保護能力。
IGBT驅(qū)動電路-驅(qū)動電路EXB841/840
EXB841 工作原理如圖1，當EXB841的14腳和15腳有10mA的電流流過1us以后IGBT正常開通，VCE下降至3V左右，6腳電壓被 鉗制在8V左右，由于VS1穩(wěn)壓值是13V，所以不會被擊穿，V3不導通，E點的電位約為20V，二極管VD截止，不影響V4和V5正常工作。
當 14腳和15腳無電流流過，則V1和V2導通，V2的導通使V4截止、V5導通，IGBT柵極電荷通過V5迅速放電，引腳3電位下降至0V，是 IGBT柵一 射間承受5V左右的負偏壓，IGBT可靠關(guān)斷，同時VCE的迅速上升使引腳6“懸空”。C2的放電使得B點電位為0V，則V S1仍然不導通，后續(xù)電路不動作，IGBT正常關(guān)斷。
如有過流發(fā)生，IGBT的V CE過大使得VD2截止，使得VS1擊穿，V3導通，C4通過R7放電，D點電位下降，從而使IGBT的柵一射間的電壓UGE降低 ，完成慢關(guān)斷，實現(xiàn)對IGBT的保護。由EXB841實現(xiàn)過流保護的過程可知，EXB841判定過電流的主要依據(jù)是6腳的電壓，6腳的電壓不僅與VCE 有關(guān)，還和二極管VD2的導通電壓Vd有關(guān)。
典型接線方法如圖2，使用時注意如下幾點：
a、IGBT柵-射極驅(qū)動回路往返接線不能太長（一般應該小于1m），并且應該采用雙絞線接法，防止干擾。
b、由于IGBT集電極產(chǎn)生較大的電壓尖脈沖，增加IGBT柵極串聯(lián)電阻RG有利于其安全工作。但是柵極電阻RG不能太大也不能太小，如果 RG增大，則開通關(guān)斷時間延長，使得開通能耗增加;相反，如果RG太小，則使得di/dt增加，容易產(chǎn)生誤導通。
c、圖中電容C用來吸收由電源連接阻抗引起的供電電壓變化，并不是電源的供電濾波電容，一般取值為47 F。
d、6腳過電流保護取樣信號連接端，通過快恢復二極管接IGBT集電極。
e、14、15接驅(qū)動信號，一般14腳接脈沖形成部分的地，15腳接輸入信號的正端，15端的輸入電流一般應該小于20mA，故在15腳前加限流電阻。
f、為了保證可靠的關(guān)斷與導通，在柵射極加穩(wěn)壓二極管。
M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路
M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路采用雙電源（+15V，- 10V）供電，輸出負偏壓為-10V，輸入輸出電平與TTL電平兼容，配有短 路/過載保護和 封閉性短路保護功能，同時具有延時保護特性。其分別適合于驅(qū)動1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其 以下的 IGBT.M57959L/M57962L在驅(qū)動中小功率的IGBT時，驅(qū)動效果和各項性能表現(xiàn)優(yōu)良，但當其工作在高頻下時，其脈沖前后沿變的較差，即信 號的最大傳輸寬度受到限制。且厚膜內(nèi)部采用印刷電路板設計，散熱不是很好，容易因過熱造成內(nèi)部器件的燒毀。
M57959L集成IGBT專用驅(qū)動芯片它可以作為600V/200A或者1200V/100A的IGBT驅(qū)動。其最高頻率也達40KHz，采用雙電源 供電（+15V和-15V）輸出電流峰值為±2A，M57959L有以下特點：
（1） 采用光耦實現(xiàn)電器隔離，光耦是快速型的，適合20KHz左右的高頻開關(guān)運行，光耦的原邊已串聯(lián)限流電阻，可將5V電壓直接加到輸入 側(cè)。
（2） 如果采用雙電源驅(qū)動技術(shù)，輸出負柵壓比較高，電源電壓的極限值為+18V/-15V，一般取+15V/-10V。
（3） 信號傳輸延遲時間短，低電平-高電平的傳輸延時以及高電平-低電平的傳輸延時時間都在1.5μs以下。
（4） 具有過流保護功能。M57962L通過檢測IGBT的飽和壓降來判斷IGBT是否過流，一旦過流，M57962L就會將對IGBT實施軟關(guān)斷，并輸出過 流故障信號。
（5） M57959的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示，這一電路的驅(qū)動部分與EXB系列相仿，但是過流保護方面有所不同。過流檢測仍采用電壓采樣，電路特 點是采用柵壓緩降，實現(xiàn)IGBT軟關(guān)斷。
避免了關(guān)斷中過電壓和大電流沖擊，另外，在關(guān)斷過程中，輸入控制信號的狀態(tài)失去作用，既保護關(guān)斷是在封閉狀態(tài)中完成的。當保護開始時，立即送出故障信號，目的是切斷控制信號，包括電路中其它有源器件。
IGBT驅(qū)動電路-SD315A集成驅(qū)動模塊
集成驅(qū)動模塊采用+15V單電源供電，內(nèi)部集成有過流保護電路，其最大的特點是具 有安全性、智能性與易用性。2SD315A能輸出很大的峰 值電流（最大瞬時輸出電流可達±15A），具有很強的驅(qū)動能力和很高的隔離電壓能力（4000V）。2SD315A具有兩個驅(qū)動輸出通道，適合于驅(qū) 動等級為1200V/1700V極其以上的兩個單管或一個半橋式的雙單元大功率IGBT模塊。其中在作為半橋驅(qū)動器使用的時候，可以很方便地 設置死區(qū)時間。
2SD315A內(nèi)部主要有三大功能模塊構(gòu)成，分別是LDI（Logic To Driver Interface，邏輯驅(qū)動轉(zhuǎn)換接口）、IGD（Intelligent Gate Driver，智能門極驅(qū)動）和輸入與輸出相互絕緣的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
當外部輸入PWM信號后，由LDI進行編碼處理，為保證信號不受外界條件的 干擾，處理過的信號在進入IGD前需用高頻隔離變壓器進行電氣隔離。從隔離變壓器另一側(cè) 接收到的信號首先在IGD單元進行解碼，并把解碼后的PWM信號進行放大（±15V/±15A）以驅(qū)動外接大功率IGBT。
當智能門極驅(qū)動單元IGD內(nèi)的 過流和短路保護電路檢測到IGBT發(fā)生過流和短路故障時，由封鎖時間邏輯電路和狀態(tài)確認電路產(chǎn)生相應的響應時間和封鎖時間，并把此時的狀態(tài)信號進行編碼送 到邏輯控制單元LDI。LDI單元對傳送來的IGBT工作狀態(tài)信號進行解碼處理，使之在控制回路中得以處理。為防止2SD315A的兩路輸出驅(qū)動信號相互 干擾，由DC/DC轉(zhuǎn)換器提供彼此隔離的電源供電。
2SD315使用時注意事項
a、工作模式
驅(qū)動模塊的模式選擇端MOD外接+15V電源，輸入引腳RC1和RC2接地，為直接工作模式。邏輯控制電平采用+15V，信號輸入管腳InA、 InB連 接在一起接收來自單片機的脈沖信號。2SD315A的SO1和SO2兩只管腳輸出通道的工作狀態(tài)。當MOD接地時，MOD接地。通常半橋模式都是驅(qū)動一個 直流母線上的一個橋臂，為避免上下橋臂直通必須設置死區(qū)時間，在死區(qū)時間里兩個 管子同時關(guān)斷。
因此，RC 1、RC2端子必須根據(jù)要求外接RC網(wǎng)絡來產(chǎn)生死區(qū)時間，死區(qū)時間一般可以從100n，到幾個ms。圖中所示的RC 1、 RC2分別連接lOk.的電阻和100pF的電容，這樣產(chǎn)生的死區(qū)時間大約是500ns.
b、端口VL/Reset
這個端子是用來定義具有施密特性質(zhì)的輸入InA和InB的，使得輸入在2/3VL時開通，在I/3 VL時作為關(guān)斷信號。當PWM信號是TTL電平時， 該端子連接如圖3-5所示，當輸入InA和InB信號為15V的時候，該端子應該通過一個大約1K左右的電阻連接到++15V電源上，這樣開啟和關(guān)斷電壓 分別應該是lov和5V。另外，輸入UL/Reset端還有另外的功能：如果其接地，則邏輯驅(qū)動接口單元l.DI001內(nèi)的錯誤信息被清除。
c、門極輸出端
門極輸出Gx端子接電力半導體的門極，當SCALE驅(qū)動器用15V供電的時候，門極輸出土15V.負的門極電壓由驅(qū)動器內(nèi)部產(chǎn)生。使用如圖3-6 結(jié)構(gòu)的電路可以實現(xiàn)開通和關(guān)斷的速度的不一樣，增加了用戶使用的靈活性。
d、布局和布線
驅(qū)動器應該盡可能近的和功率半導體放在一起，這樣從驅(qū)動器到電力晶體管的引線就會盡可能的短，一般來說驅(qū)動器的連線盡量不要長 過10厘米。同時一般要求到集電極和發(fā)射極的引線采用絞合線，還有可以在IGBT的門極和發(fā)射極之間連接一對齊納穩(wěn)壓二極管（15~18V） 來保護IGBT不會被擊穿。
驅(qū)動模塊的模式選擇端MOD外接+15V電源，輸入引腳RC1和RC2接地，為直接工作模式。邏輯控制電平采用+15V，信號輸入管腳InA、 InB連 接在一起接收來自單片機的脈沖信號，進行同步控制。2SD315A的SO1和SO2兩只管腳外接三極管和光耦用來向單片機輸出兩輸出通道的 工作狀態(tài)，其輸出端結(jié)構(gòu)皆為集電極開路輸出，可以通過外接上拉電阻以適用于各種電平邏輯。 在管腳SO1、SO2和電源之間以及VisoX 和LSX之間加發(fā)光二極管進行故障指示。正常情況下SO1和SO2輸出皆為高電平，上電后D3和D4先亮，延時幾秒后熄滅，同時D8和D15發(fā)亮。
當檢測到故障信號時，SO1和SO2的輸出電平被拉低到地，即D3和D4發(fā)亮，同時D8和D15閃爍。2SD315A是通過監(jiān)測UCE（sat）來 判斷回路是否 短路和過流，當檢測到一路或兩路發(fā)生過流現(xiàn)象時，檢測電路會把異常狀態(tài)回饋到驅(qū)動模塊，驅(qū)動模塊內(nèi)部會產(chǎn)生一個故障信號并將它 鎖存，鎖存時間為1s，在這段時間內(nèi)，驅(qū)動模塊不再輸出信號，而是將兩組IGBT及時關(guān)斷予以保護。
同時，狀態(tài)輸出管腳SO1和SO2的高電平 被拉低，光耦TLP521導通，兩路狀態(tài)信號通過或門74LS32送給單片機。為防止因關(guān)斷速度太快在IGBT的集電極上產(chǎn)生很高的反電動勢，在門極輸出 端采用如圖所示的電路結(jié)構(gòu)實現(xiàn)開通和關(guān)斷速度的不同。開通時門極電阻為3.4Ω，關(guān)斷時電阻為6.8Ω，二極管采用快恢 復型，這樣就使關(guān)斷速度下降到安全水平。
IGBT短路失效機理
GBT負載短路下的幾種后果：
（1） 超過熱極限：半導體的本征溫度極限為250℃，當結(jié)溫超過本征溫度，器件將喪失阻斷能力，IGBT負載短路時，由于短路電流時結(jié)溫升 高，一旦超過其熱極限時，門級保護也相應失效。
（2） 電流擎住效應：正常工作電流下，IGBT由于薄層電阻Rs很小，沒有電流擎住現(xiàn)象，但在短路狀態(tài)下，由于短路電流很大，當Rs上的壓降 高于0.7V時，使J1正偏，產(chǎn)生電流擎住，門級便失去電壓控制。
（3） 關(guān)斷過電壓：為了抑制短路電流，當故障發(fā)生時，控制電路立即撤去正門級電壓，將IGBT關(guān)斷，短路電流相應下降。由于短路電流大， 因此，關(guān)斷中電流下降率很高，在布線電感中將感生很高的電壓，尤其是在器件內(nèi)封裝引線電感上的這種感應電壓很難抑制，它將使器件有過電流變?yōu)殛P(guān)斷過電壓而 失效。
IGBT過流保護方法
（1） 減壓法：是指在故障出現(xiàn)時，降低門級電壓。由于短路電流比例于外加正門級電壓Ug1，因此在故障時，可將正門級電壓降低。
（2） 切斷脈沖方法：由于在過流時，Uce電壓升高，我們利用檢測集電極電壓的方法來判斷是否過流，如果過流，就切斷觸發(fā)脈沖。同時盡 量采用軟關(guān)斷方式，緩解短路電流的下降率，避免產(chǎn)生過電壓造成對IGBT的損壞。
IGBT結(jié)構(gòu)
下圖所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。
而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）。
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導通。
反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。
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